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多孔硅與硅基光電子的集成助力低成本傳感器
來(lái)源:賽斯維傳感器網(wǎng) 發(fā)表于 2014/10/21

  美國(guó)喬治亞理工學(xué)院的科學(xué)家成功地將多孔硅(Porous Silicon)與絕緣體上硅(Silicon-on-insulator)集成,并在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了微米尺寸大小、探測(cè)靈敏度提高6倍的光學(xué)傳感器。絕緣體上硅是硅基光電子領(lǐng)域常用的材料體系,在研發(fā)小尺寸、高性能、低成本的光電器件中起著十分關(guān)鍵的作用。


  此次多孔硅與絕緣體上硅的成功集成極大地提高原有材料平臺(tái)的表面積,能夠吸附更多的待測(cè)樣本分子,從而極大地提高了微型集成光電傳感器的性能。該研究工作由美國(guó)國(guó)防高級(jí)計(jì)劃署資助。

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