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中科院研制核殼納米線 可升級光電傳感器
來源:賽斯維傳感器網 發表于 2014/6/19

  中科院近日成功研制CdS/ZnO核殼納米線,該材料對光電氣敏傳感器的開發具有重要意義。若成功開發,基于該材料的光電探測器感光響應時間約為26毫秒,而恢復時間僅為2.1毫秒,在同類傳感器中處于領先地位。

  目前,構建一維的具有異質結結構的材料是光電探測和氣敏檢測領域的研究熱點。具有兩種組分的核殼納米線是構造光電探測器和氣敏傳感器的理想材料,CdS和ZnO兩種材料分別在光電探測和氣敏檢測方面具有優異的性能,研究這兩種材料構建的異質結和光電增強機理,對光電氣敏傳感器的開發具有重要意義。

  近日,中科院新疆理化所的科研人員首次制備了CdS/ZnO核殼納米線,該結構能夠有效利用CdS的吸光特點,通過異質結調控載流子傳輸,提高材料的光電性能和傳感性能。基于該材料的光電探測器感光響應時間約為26毫秒,而恢復時間僅為2.1毫秒,在同類傳感器中處于領先地位。

  而以該材料構筑的光電氣敏傳感器利用光電子參與二氧化氮的吸附反應,實現了對該氣體靈敏、快速的檢測。基于該材料的氣敏傳感器對二氧化氮具有良好的響應,可測試響應范圍低至5ppb。

  通過研究還發現,對該光電氣敏傳感器施加不同的光強會導致不同的響應,在最佳光強下,檢測性能最優。該研究不但為開發核殼納米線光電探測器提供了一種新的思路,同時為構筑光電氣敏傳感器提供了參考,并且使得即時、光控的氣敏檢測成為可能。

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